DDR2 (Double Data Rate 2) SDRAM este un standard de tehnologie de memorie de nouă generație dezvoltat de JEDEC (Comitetul mixt de inginerie a echipamentelor electronice). Cea mai mare diferență dintre acesta și standardul tehnologiei de memorie DDR din generația anterioară este că, deși același sistem folosește ceasul în creștere / Metoda de bază de transmitere a datelor în timp ce întârzie scăderea, dar memoria DDR2 are capacitatea de citire de două ori mai mare decât memoria DDR din generația anterioară ( de exemplu: date pe 4 biți citite pre-preluare). Cu alte cuvinte, memoria DDR2 poate citi / scrie date la viteza de 4 ori a magistralei externe per ceas și poate rula de 4 ori viteza magistralei de control intern.
1. Principii de bază:
În comparație cu DDR, principala îmbunătățire a DDR2 este că poate oferi de două ori lățimea de bandă a memoriei DDR atunci când viteza modulului de memorie este aceeași. Acest lucru se realizează în principal prin utilizarea eficientă a două nuclee DRAM pe fiecare dispozitiv. În schimb, memoria DDR poate utiliza un singur nucleu DRAM pe fiecare dispozitiv. Din punct de vedere tehnic, există încă un singur nucleu DRAM pe memoria DDR2, dar poate fi accesat în paralel, procesând 4 date în loc de două în fiecare acces.
Combinată cu memoria tampon de date care rulează la viteză dublă, memoria DDR2 poate procesa până la 4 biți de date în fiecare ciclu de ceas, care este de două ori mai mare decât datele de 2 biți care pot fi procesate de memoria tradițională DDR. O altă îmbunătățire a memoriei DDR2 este că folosește ambalaj FBGA în locul metodei tradiționale TSOP.
Cu toate acestea, deși memoria DDR2 utilizează aceeași viteză de bază DRAM ca DDR, trebuie totuși să folosim o nouă placă de bază pentru a se potrivi cu memoria DDR2, deoarece specificațiile fizice ale DDR2 sunt incompatibile cu DDR. În primul rând, interfața este diferită. DDR2 are 240 de pini, în timp ce memoria DDR are 184 de pini. În al doilea rând, tensiunea VDIMM a memoriei DDR2 este de 1.8 V, care este, de asemenea, diferită de cea de 2.5 V a memoriei DDR.
În plus, deoarece standardul DDR2 prevede că toate memoria DDR2 sunt ambalate în FBGA, spre deosebire de pachetul TSOP / TSOP-II utilizat pe scară largă în prezent, pachetul FBGA poate oferi o performanță electrică mai bună și disiparea căldurii, care este o memorie DDR2 stabilă. Munca și dezvoltarea viitoarelor frecvențe oferă o bază solidă. Reamintind dezvoltarea DDR, de la prima generație de DDR200 aplicată computerelor personale prin DDR266, DDR333 până la tehnologia DDR400 cu două canale de astăzi, dezvoltarea primei generații de DDR a atins limita tehnologiei și a fost dificil de îmbunătățit memoria prin metode convenționale. Odată cu dezvoltarea celei mai recente tehnologii de procesare Intel, magistrala din față necesită lățime de bandă de memorie din ce în ce mai mare, iar memoria DDR2 cu frecvențe de operare mai mari și mai stabile va fi tendința generală.
Înainte de a înțelege multe noi tehnologii de memorie DDR2, să analizăm mai întâi un set de date care compară tehnologiile DDR și DDR2.
1) Problema de întârziere:
După cum se poate vedea din tabelul de mai sus, sub aceeași frecvență de bază, frecvența reală de funcționare a DDR2 este de două ori mai mare decât cea a DDR. Acest lucru se datorează faptului că memoria DDR2 are capacitatea de citire dublă de 4BIT decât memoria standard DDR. Cu alte cuvinte, deși DDR2, la fel ca DDR, folosește metoda de bază a transmiterii datelor în același timp cu întârzierea creșterii ceasului și întârzierii de cădere, DDR2 are capacitatea de a dubla DDR de a citi datele de comandă ale sistemului. Cu alte cuvinte, sub aceeași frecvență de operare de 100 MHz, frecvența reală a DDR este de 200 MHz, în timp ce DDR2 poate ajunge la 400 MHz.
În acest fel, apare o altă problemă: în memoria DDR și DDR2 cu aceeași frecvență de funcționare, latența memoriei acesteia din urmă este mai lentă decât prima. De exemplu, DDR 200 și DDR2-400 au aceeași întârziere, în timp ce acesta din urmă are dublul lățimii de bandă. De fapt, DDR2-400 și DDR 400 au aceeași lățime de bandă, ambele sunt de 3.2 GB / s, dar frecvența de operare de bază a DDR400 este de 200 MHz, iar frecvența de operare de bază a DDR2-400 este de 100 MHz, ceea ce înseamnă întârzierea DDR2 -400 Este mai mare decât DDR400.
2) Incapsularea și generarea de căldură:
Cea mai mare descoperire a tehnologiei de memorie DDR2 nu este de fapt faptul că utilizatorii cred că dublă capacitatea de transmisie a DDR, dar cu o producție mai mică de căldură și un consum mai mic de energie, DDR2 poate realiza creșteri mai rapide și progrese. Limita de 400 MHz a DDR standard.
Memoria DDR este de obicei ambalată în cip TSOP. Acest pachet poate funcționa bine la 200MHz. Când frecvența este mai mare, pinii săi lungi vor genera impedanță ridicată și capacitate parazită, ceea ce îi va afecta performanța. Dificultatea stabilității și a frecvenței crește. Acesta este motivul pentru care este dificil ca frecvența de bază a DDR să treacă prin 275 MHz. Și memoria DDR2 adoptă formularul de pachet FBGA. Diferit de pachetul TSOP utilizat în prezent pe scară largă, pachetul FBGA oferă performanțe electrice și disipare a căldurii mai bune, ceea ce oferă o bună garanție pentru funcționarea stabilă a memoriei DDR2 și dezvoltarea frecvențelor viitoare.
Memoria DDR2 utilizează o tensiune de 1.8 V, care este mult mai mică decât standardul DDR de 2.5 V, oferind astfel un consum de energie semnificativ mai mic și mai puțină căldură. Această schimbare este semnificativă.
2. Noi tehnologii adoptate de DDR2:
Pe lângă diferențele menționate mai sus, DDR2 introduce și trei noi tehnologii, acestea fiind OCD, ODT și Post CAS.
TOC (Off-Chip Driver): Aceasta este așa-numita ajustare offline a unității. DDR II poate îmbunătăți integritatea semnalului prin OCD. DDR II reglează valoarea rezistenței la tragere / tragere pentru a face cele două tensiuni egale. Utilizați OCD pentru a îmbunătăți integritatea semnalului prin reducerea înclinării DQ-DQS; îmbunătățirea calității semnalului prin controlul tensiunii.
ODT: ODT este rezistența de terminare a miezului încorporat. Știm că un număr mare de rezistențe terminale sunt necesare pe placa de bază folosind DDR SDRAM pentru a împiedica reflectarea semnalului la terminalul liniei de date. Crește foarte mult costul de fabricație al plăcii de bază. De fapt, diferite module de memorie au cerințe diferite pentru circuitul de terminare. Mărimea rezistorului de terminare determină raportul semnalului și reflectivitatea liniei de date. Dacă rezistența la terminare este mică, reflectarea semnalului liniei de date este redusă, dar raportul semnal-zgomot este, de asemenea, scăzut; Dacă rezistența la terminare este mare, raportul semnal-zgomot al liniei de date va fi ridicat, dar reflectarea semnalului va crește, de asemenea. Prin urmare, rezistența la terminare de pe placa de bază nu se poate potrivi foarte bine cu modulul de memorie și va afecta într-o anumită măsură calitatea semnalului. DDR2 poate construi rezistențe de terminare adecvate în funcție de propriile caracteristici, astfel încât să asigure cea mai bună formă de undă a semnalului. Utilizarea DDR2 nu numai că poate reduce costul plăcii de bază, ci și obține cea mai bună calitate a semnalului, care este de neegalat de DDR.
Postează CAS: Este setat să îmbunătățească eficiența utilizării memoriei DDR II. În operația Post CAS, semnalul CAS (citire / scriere / comandă) poate fi inserat la un ciclu de ceas după semnalul RAS, iar comanda CAS poate rămâne valabilă după întârzierea suplimentară (latență aditivă). TRCD original (RAS la CAS și întârziere) este înlocuit cu AL (latență aditivă), care poate fi setat în 0, 1, 2, 3, 4. Deoarece semnalul CAS este plasat la un ciclu de ceas după semnalul RAS, ACT iar semnalele CAS nu se vor ciocni niciodată.
În general, DDR2 utilizează multe tehnologii noi pentru a îmbunătăți multe dintre neajunsurile DDR. Deși are în prezent multe deficiențe în ceea ce privește costul ridicat și latența lentă, se crede că, odată cu îmbunătățirea și îmbunătățirea continuă a tehnologiei, aceste probleme vor fi în cele din urmă rezolvate. .
alt produs nostru:
